2024-10-06
Des transistors verticaux nanométriques pour une électronique 3D
Une équipe du Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes a mis au point un procédé de fabrication de transistors verticaux miniaturisés, à base de nanofils de silicium, dont les contacts métalliques sont performants et fiables. Pour démontrer la capacité de leur technologie, les chercheurs ont réalisé des "portes logiques", briques de base des circuits intégrés. Ces résultats sont publiés dans la revue ACS Nano Letters.
